Home > Computer & Elektronik > Datenspeicher > Datenspeichergeräte > Interne Solid State Drives (SSD)
Samsung MZ-V8P2T0BW Internes Solid State Drive M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Hersteller-Nr.: MZ-V8P2T0BW
Markteinführung: 09/2020
Hersteller: Samsung









Fakten in Kürze
Samsung MZ-V8P2T0BW. SSD Speicherkapazität: 2000 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 5100 MB/s, Komponente für: PC/Notebook
Gewicht und Abmessungen
- Breite: 80,2 mm
- Tiefe: 2,38 mm
- Höhe: 22,1 mm
- Gewicht: 9 g
Leistung
- Arbeitsspannung: 3,3 V
- Stromverbrauch (max.): 7,2 W
- Stromverbrauch (durchschnittl.): 6,1 W
- Stromverbrauch (Standby): 0,035 W
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
- Maximale Betriebstemperatur: 70 °C
- Stoßfest (in Betrieb): 1500 G
Verpackungsdaten
- Verpackungsart: Box
Merkmale
- SSD-Formfaktor: M.2
- SSD Speicherkapazität: 2000 GB
- Schnittstelle: PCI Express 4.0
- Speichertyp: V-NAND MLC
- NVMe: Ja
- Komponente für: PC/Notebook
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- NVMe Version: 1.3c
- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
- Lesegeschwindigkeit: 7000 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit: 5100 MB/s
- Zufälliges Lesen (4KB): 1000000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4KB): 1000000 IOPS
- PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
- S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja
- TRIM-Unterstützung: Ja
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Logistikdaten
- Warentarifnummer (HS): 84717070
 
Quelle der Daten: Icecat.biz.
Die Daten sind vom Hersteller automatisiert übermittelt. Jegliche Haftung wird ausgeschlossen.
Die Daten sind vom Hersteller automatisiert übermittelt. Jegliche Haftung wird ausgeschlossen.
Nächstes Produkt: Samsung 850 EVO M.2 1000 GB Serial ATA III